中国科学家晶体管研究开发取得突破 关注4股

　　中国科学家晶体管研究开发取得突破

　　据新华社报道，中国科学家8日在美国《科学》杂志上报告说，他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速，整个过程都可在低电压条件下完成，为实现芯片低功耗运行创造了条件。

　　研究负责人、复旦大学教授王鹏飞介绍，金属－氧化物－半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中的主流器件，过去几十年工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小，越来越接近其物理极限，基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。半浮栅晶体管的前瞻研究就是在这种情况下展开。

　　据了解，半浮栅晶体管不但能应用于存储器，还可应用于主动式图像传感器芯片(APS)，让新型图像传感器单元在面积上能缩小20%以上，并使图像传感器的分辨率和灵敏度得到提升。

　　中国证券网表示，A股上市公司中，华微电子涉足晶体管生产；另外，华天科技、通富微电、长电科技等半导体企业也值得关注。(证券时报网)